多層陶瓷介質電容器常見失效模式

　　陶瓷電容是指用高介電常數的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。多層陶瓷介質電容器有許多失效模式和失效機制。研究其損耗值和絕緣電阻值對判斷多層陶瓷介質電容器的失效狀態具有重要意義。短路的失效模式比較常見，這通常表明兩端電極之間的電阻值明顯下降到歐姆或毫歐姆的數量級，而且這種失效模式大多與過電有關。

　　陶瓷電容是指用高介電常數的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

　　多層陶瓷介質電容器有許多失效模式和失效機制。根據電氣參數的性能，故障模式可分為三種類型，即開路、短路和電參數漂移。常見的是電學參數的漂移，包括電容的變化、損耗的變化和絕緣電阻的變化。在這三個參數中，敏感的電參數是損耗值和絕緣電阻值。只要發生故障，損耗值或絕緣電阻值就會不同程度地漂移。因此，研究其損耗值和絕緣電阻值對判斷多層陶瓷介質電容器的失效狀態具有重要意義。

　　電容

　　短路的失效模式比較常見，這通常表明兩端電極之間的電阻值明顯下降到歐姆或毫歐姆的數量級，而且這種失效模式大多與過電有關。開路失效模式比較少見，主要有兩種情況，一是嚴重過電后，內部電極或端電極與內電極之間燒毀形成開路；二是某些應力導致端電極與內電極之間產生裂紋和裂紋，導致電極間電連接不良形成開路，這主要與電容本身的質量有關。